поверхностной рекомбинации

См. также в других словарях:

• скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые… …   Справочник технического переводчика

• Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• скорость поверхностной рекомбинации — paviršinės rekombinacijos sparta statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. surface recombination rate; surface recombination velocity vok. Oberflächen Rekombinationsgeschwindigkeit, f rus. скорость поверхностной рекомбинации, f pranc …   Radioelektronikos terminų žodynas

• скорость поверхностной рекомбинации — — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом EN surface recombination rate …   Справочник технического переводчика

• скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда — Отношение плотности потока носителей заряда на поверхность полупроводника к избыточной концентрации их у поверхности. Примечание. Данный термин следует отличать от термина скорость рекомбинации , под которым понимается скорость уменьшения… …   Политехнический терминологический толковый словарь

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• скорость — 05.01.18 скорость (обработки) [rate]: Число радиочастотных меток, обрабатываемых за единицу времени, включая модулированный и постоянный сигнал. Примечание Предполагается возможность обработки как движущегося, так и неподвижного множества… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотовольтаиче ский эффект) возникновение электрич. тока при освещении образца полупроводника или диэлектрика, включённого в замкнутую цепь (фототок), или возникновение эдс на освещаемом образце при разомкнутой внеш. цепи (фо тоэдс). Различают… …   Физическая энциклопедия

• ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ — свойства, обусловленные поведением носителей заряда (электронов и дырок) вблизи границы раздела полупроводника с др. средой. На поверхности существуют поверхностные состояния носителей, плотность к рых (число состояний, приходящихся на единичный… …   Физическая энциклопедия

• Фотодиод — Фотодиод …   Википедия

• Фотодиоды — Фотодиод ФД 10 100 активная площадь 10х10мм2 ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) …   Википедия